Placă de breakout MB85RC256V cu memorie 32KB I2C FRAM nevolatilă

Caracteristici: FRAM este nevolatil și poate fi ușor recitit de 10 trilioane de ori. Este similar cu memoria dinamică cu acces aleatoriu (DRAM), numai cu un strat feroelectric în loc de un strat dielectric. Este potrivit în special pentru utilizarea cu înregistratoare de date de putere redusă și pentru stocarea temporară a datelor în absența unei surse de tensiune stabile. Cipul FRAM utilizat oferă 8 KB de memorie și UTILIZEAZĂ o frecvență de ceas de până la 20 MHz. Fiecare octet poate fi citit și scris instantaneu, dar va păstra memoria timp de 95 de ani la temperatura camerei. Specificație: Condiție: 100% nou-nouță Adr: 1010+A2+A1+A0 Mod implicit: 0 x 50 VCCLogic: 2,75,5 V Lista pachetelor: 1 x Placă de conectare FRAM FRAM este nevolatil și poate fi ușor recitit de 10 trilioane de ori. Este similar cu memoria dinamică cu acces aleatoriu (DRAM), numai cu un strat feroelectric în loc de un strat dielectric. Este potrivit în special pentru utilizarea cu înregistratoare de date de putere redusă și pentru stocarea temporară a datelor în absența unei surse de tensiune stabile. Cipul FRAM utilizat oferă 8 KB de memorie și UTILIZEAZĂ o frecvență de ceas de până la 20 MHz. Fiecare octet poate fi citit și scris instantaneu, dar va păstra memoria timp de 95 de ani la temperatura camerei.